Doch ein wichtiger Durchbruch fehlte noch: der Übergang zum Silizium, dem Halbleiter, der heute nahezu in jedem Schaltkreis und Elektronikprodukt steckt. Denn in den 1950er und 1960er Jahren bestanden fast alle Transistoren aus monokristallinem Germanium. Dieses Element ist dank seines niedrigeren Schmelzpunkts leichter zu bearbeiten und ermöglicht wegen des schnellen Flusses der Ladungsträger im Kristallgitter hohe Schaltgeschwindigkeiten.

Das Problem des Germaniums
Als Transistormaterial hat Germanium aber einige Nachteile: Weil die Bandlücke dieses Halbleiters mit 0,64 Elektronenvolt relativ klein ist, kommt es häufig zu unerwünschten Leckströmen. Oberhalb einer Temperatur von rund 75 Grad reicht die Wärmeenergie schon aus, um das Material leitfähig zu machen. Als Folge verlieren Germanium-Transistoren ab dieser Temperatur ihre Schaltfunktion und werden unbrauchbar. Silizium ist dagegen deutlich stabiler: Wegen seiner größeren Bandlücke bleiben Transistoren aus diesem Material auch bei höheren Temperaturen funktionsfähig.
Das Problem jedoch: Silizium hat mit 1.415 Grad eine höhere Schmelztemperatur und ist reaktiver, was die Herstellung hochreiner monokristalliner Blöcke erschwert: „Das schmelzflüssige Silizium interagiert mit nahezu jedem Tiegel, selbst Quarzglas reagiert mit der Schmelze und kontaminiert sie mit Sauerstoff und anderen Verunreinigungen, die dann die elektronische Leistung des Kristalls degradieren“, erklärt Michael Riordan von University of California in San Diego. Dadurch war es zunächst kaum möglich, Siliziumhalbleiter in der erforderlichen Reinheit und Dotierung herzustellen.
Wettstreit um den ersten Silizium-Transistor
Erst 1954 gelang es Forschern, diese Hürden zu überwinden – und wieder geschah dies zweimal unabhängig voneinander und nahezu zur gleichen Zeit: An den Bell Labs entwickelte der Chemiker Morris Tanenbaum ein Verfahren, bei dem die Dotierungsrate des Siliziums gesteuert werden konnte, während der Einkristall aus der Schmelze gezogen wurde. Am 26. Januar 1954 gelang es dem Team damit, den ersten npn-Silizium-Transistor mit guter Verstärkungswirkung zu erzeugen. Die Bell Labs entschieden sich jedoch, diese Erfindung zunächst nicht publik zu machen oder zu patentieren.