Miniaturisierung extrem: US-Forscher haben den bisher kleinsten Transistor aus Halbleitermaterial konstruiert. Ihr Bauteil besteht aus einer Molybdänverbindung statt aus Silizium und nutzt ein Kohlenstoff-Nanoröhrchen als Gate. Diese Bauweise verringert quantenphysikalische Störeffekte und erlaubt eine Miniaturisierung über die für Silizium als möglich geltende Grenze hinaus, wie die Forscher im Fachmagazin „Science“ berichten.
Unsere Elektronik wird immer kleiner und leistungsfähiger – noch. Doch der Miniaturisierung sind Grenzen gesetzt: Unterhalb bestimmter Größen kommen quantenphysikalische Effekte zum Tragen, wodurch Elektronen zwischen Leiterbahnen „tunneln“ können. Bei einem Transistor kommt es dadurch zu Lecks im Stromfluss. „Das bedeutet, dass wir den Transistor nicht mehr abschalten können, die Elektronen geraten außer Kontrolle“, erklärt Studienleiter Sujay Desai von der University of California in Berkeley.
Molybdän-Verbindung statt Silizium
Wegen dieser Quanteneffekte näheren sich die Silizium-Transistoren inzwischen ihrem Miniaturisierungs-Limit: Die kleinsten Modelle auf dem Markt haben Gates von rund 20 Nanometern Länge, fünf Nanometer gelten als kleinster noch funktionsfähiger Wert. Wie sich diese Barriere noch weiter absenken lässt, haben Desai und seine Kollegen nun untersucht – und herausgefunden.
Die Forscher haben den Prototyp eines Transistors entwickelt, der das kleinste jemals konstruierte Bauteil dieser Art darstellt. Statt Silizium nutzt ihr Transistor das Halbleitermaterial Molybdän-Disulfid (MoS2). Dieses geschichtete Material gehört den Übergangsmetall-Dichalcogeniden, einer Stoffgruppe, die wegen ihrer elektronischen Eigenschaften als vielversprechender Rohstoff für LEDs, Laser oder Solarzellen gilt.