Forscher haben mit der so genannten Terahertz-Kamera eine Alternative zu den heftig umstrittenen „Nacktscannern“ entwickelt. Das passiv arbeitende neue Gerät erfasst die Terahertz-Wärmestrahlung des menschlichen Körpers und erzeugt Bilder in schneller Folge. Darauf sind auch Waffen oder Sprengstoffpakete problemlos zu erkennen.
Sicherheitskontrollen an Flughäfen gehören zum täglichen Leben. Wie die aktuelle öffentliche Diskussion über die Nacktscanner zeigt, ist die Einschränkung ethischer Prinzipien zugunsten von mehr Sicherheit für viele Menschen ein zu hoher Preis.
„Durchleuchtung“ nicht erforderlich
Die vom Jenaer Institut für Photonische Technologien (IPHT) entwickelte passive Terahertz-Kamera arbeitet anders als ein Nacktscanner. Die Technologie schließt dabei nach Angaben der Forscher gesundheitliche und ethische Bedenken von Vornherein aus. Eine aktive „Durchleuchtung“ von Menschen ist nicht erforderlich. Die Kamera misst dagegen die körpereigene Terahertz-Strahlung.
Verdächtige Schatten auf dem Strahlungsbild
Gegenstände mit Gefährdungspotential, die am Körper getragen werden, verursachen einen verdächtigen Schatten auf dem erfassten Strahlungsbild. Im Vergleich zu herkömmlichen Geräten stellt die Terahertz-Kamera keine anatomischen Details dar und kommt daher ohne eine künstliche Verfremdung der Bilder aus.
Darüber hinaus bedeutet der Verzicht auf eine aktive Bestrahlung die konsequente Vermeidung jeglicher potentieller Gefährdung der Gesundheit der untersuchten Person, so die Forscher, die für ihre Neuentwicklung nun den Thüringer Forschungspreis 2009 erhalten haben.
Mehr Sicherheit in der Luftfahrt
„Die Terahertz-Kamera steht exemplarisch für den anwendungsorientierten Ansatz des IPHT und zeigt die gesellschaftspolitische Relevanz unserer Forschung. Die Terahertz-Kamera kann das Niveau der Sicherheit in der zivilen Luftfahrt revolutionieren. Weltweit gibt es kein weiteres Institut, welches auf diesem Gebiet vergleichbare Ergebnisse vorweisen kann“, so IPHT-Direktor Professor Jürgen Popp.
(idw – Institut für Photonische Technologien, 13.01.2010 – DLO)